晶体管

由于光敏二极管和光敏晶体管外形几乎一样，上述检测方法也可用来区分它们。遮住窗口测量两引脚间的正、反向电阻，电阻值一大一小者是光敏二极管，正、反向阻值均为无穷大者是光敏晶体管。

总的来说，晶体管可以划分为两类：双极型晶体管（BT）和场效应晶体管（FET）。它们的基本特点分别是：双极型晶体管是两种载流子都参与工作的器件，通过的电流主要是少数载流子的扩散电流，是电流控制的器件，BJT和可控硅等晶闸管都是典型的双极型晶体管；场效应晶体管是一种载流子--多数载流子工作的器件。

鳍式场效晶体管确实带来了一些新的挑战，但电子设计自动化工具供货商和晶圆代工厂会尽全力以对集成电路设计流程影响最小的方式整合解决方案。

以下为安森美半导体的最新技术视频--GaN晶体管(氮化镓)方案

近几年来，开关电源市场对高能效、大功率系统的需求不断提高，在此拉动下，设计人员转向寻找电能损耗更低的转换器拓扑。

日本知名半导体制造商ROHM近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备，开发出世界最小※尺寸的晶体管“VML0604”（0.6mm×0.4mm，高度0.36mm）。

Diodes公司 为针对网络、电信和以太网供电 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。

东芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布推出一款采用SO6L封装的晶体管输出光电耦合器，该产品可用于代替传统的DIP4引脚封装产品。出货即日启动。

东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布，该公司正在开发BiCD[2]晶体管阵列TB62xxxA系列，以取代其双极晶体管阵列TD62xxx系列。后者在一系列广泛的应用中使用，包括电机、继电器和LED驱动。新一代系列产品将搭载采用最新的BiCD工艺技术开发的DMOS FET型输出驱动器。样品出货和量产计划于2015年6月启动。

宜普电源转换公司推出EPC2102(60V)及EPC2103(80V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006(SOT883)封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。

意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。

射频（RF）功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前推出了业界最高射频功率的塑封晶体管。新款MRFE6VP61K25N提供的功率超过1250 W CW，而新款MRFE6VP6600N提供的功率超过600W。

射频（RF）功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品，飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力，并在提供业界最佳性能的GaN器件方面，已经取得了重大突破。